
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥41.916989 | ¥41.92 |
| 10 | ¥27.077763 | ¥270.78 |
| 100 | ¥18.614815 | ¥1861.48 |
| 500 | ¥14.986396 | ¥7493.20 |
| 1000 | ¥13.818226 | ¥13818.23 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 2.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.8 ns
上升时间 15.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 25.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1G260MN
单位重量 771.020 mg
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0RS1G260MNTB
型号:RS1G260MNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥41.916989 |
| 10+: | ¥27.077763 |
| 100+: | ¥18.614815 |
| 500+: | ¥14.986396 |
| 1000+: | ¥13.818226 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥41.92