
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥96.107754 | ¥96.11 |
| 25 | ¥77.777707 | ¥1944.44 |
| 100 | ¥73.20227 | ¥7320.23 |
| 500 | ¥66.339822 | ¥33169.91 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 270 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 830 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 23 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHV HiPerFET Power MOSFET
单位重量 10 g
购物车
0IXFK32N80P
型号:IXFK32N80P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥96.107754 |
| 25+: | ¥77.777707 |
| 100+: | ¥73.20227 |
| 500+: | ¥66.339822 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥96.11