
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥54.833664 | ¥54.83 |
| 10 | ¥49.241717 | ¥492.42 |
| 100 | ¥40.343462 | ¥4034.35 |
| 500 | ¥34.343248 | ¥17171.62 |
| 1000 | ¥28.964118 | ¥28964.12 |
| 2000 | ¥27.515913 | ¥55031.83 |
| 5000 | ¥26.481403 | ¥132407.02 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 7.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 38 S
上升时间 33 ns
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 Power MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP120N075T2
型号:IXTP120N075T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥54.833664 |
| 10+: | ¥49.241717 |
| 100+: | ¥40.343462 |
| 500+: | ¥34.343248 |
| 1000+: | ¥28.964118 |
| 2000+: | ¥27.515913 |
| 5000+: | ¥26.481403 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥54.83