货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥9.205085 | ¥27615.26 |
6000 | ¥8.864134 | ¥53184.80 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 299 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 1.1 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 449.030 mg
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0FCMT299N60
型号:FCMT299N60
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥9.205085 |
6000+: | ¥8.864134 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00