BSC019N04LSTATMA1
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- 制造商编号：
- BSC019N04LSTATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- DIFFERENTIATED MOSFETS
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥8.534352 | ￥42671.76 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 161 A
漏源电阻 1.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 94 W
通道模式 Enhancement
下降时间 4 ns
正向跨导（Min） 95 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC019N04LST SP002235178
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注
BSC019N04LSTATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSC019N04LSTATMA1
数据手册PDF。
BSC019N04LSTATMA1
型号：BSC019N04LSTATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥8.534352 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00