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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 33 ns
漏极电流 340 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 700 W
漏源电阻 4 mOhms
上升时间 95 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 100 ns
漏源击穿电压 70 V
栅源极阈值电压 4 V
高度 12.22 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
产品种类 分立半导体模块
类型 HiPerFET Power MOSFET
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXFN340N07
型号:IXFN340N07
品牌:IXYS
供货:锐单
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