STP3LN80K5
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- 制造商编号：
- STP3LN80K5
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：324
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.514283 | ￥12.51 |
| 10 | ￥11.215632 | ￥112.16 |
| 25 | ￥10.644224 | ￥266.11 |
| 100 | ￥7.983168 | ￥798.32 |
| 250 | ￥7.907138 | ￥1976.78 |
| 500 | ￥6.766685 | ￥3383.34 |
| 1000 | ￥5.512187 | ￥5512.19 |
| 2500 | ￥5.436158 | ￥13590.40 |
| 5000 | ￥4.941961 | ￥24709.81 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STP3LN80K5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220
包装
Tube
系列
MDmesh™ K5
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.25Ohm @ 1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.63nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
102pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
STP3LN80K5 同类别型号
注
STP3LN80K5品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、STP3LN80K5
数据手册PDF。
STP3LN80K5
型号：STP3LN80K5
品牌：ST
供货：锐单
库存：324 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.514283 |
| 10+： | ￥11.215632 |
| 25+： | ￥10.644224 |
| 100+： | ￥7.983168 |
| 250+： | ￥7.907138 |
| 500+： | ￥6.766685 |
| 1000+： | ￥5.512187 |
| 2500+： | ￥5.436158 |
| 5000+： | ￥4.941961 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.51