STL110N10F7
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- 制造商编号：
- STL110N10F7
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥6.577974 | ￥19733.92 |
| 6000 | ￥6.330687 | ￥37984.12 |
| 9000 | ￥6.121132 | ￥55090.19 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL110N10F7
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
107A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
72nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5117pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
封装/外壳
8-PowerVDFN
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注
STL110N10F7品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STL110N10F7
型号：STL110N10F7
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥6.577974 |
| 6000+： | ￥6.330687 |
| 9000+： | ￥6.121132 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00