货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥3.992063 | ¥998.02 |
500 | ¥3.416359 | ¥1708.18 |
1250 | ¥2.782927 | ¥3478.66 |
2500 | ¥2.619819 | ¥6549.55 |
6250 | ¥2.495076 | ¥15594.23 |
制造商 Texas Instruments
商标名 FemtoFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 825 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 1.09 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 9.5 ns
高度 0.2 mm
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
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0CSD25484F4T
型号:CSD25484F4T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥3.992063 |
500+: | ¥3.416359 |
1250+: | ¥2.782927 |
2500+: | ¥2.619819 |
6250+: | ¥2.495076 |
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