SIHD2N80AE-GE3
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- 制造商编号：
- SIHD2N80AE-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：3050
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.433852 | ￥16.43 |
| 10 | ￥14.705464 | ￥147.05 |
| 25 | ￥13.963107 | ￥349.08 |
| 100 | ￥10.47233 | ￥1047.23 |
| 250 | ￥10.372595 | ￥2593.15 |
| 500 | ￥8.876547 | ￥4438.27 |
| 1000 | ￥7.230894 | ￥7230.89 |
| 2500 | ￥7.131159 | ￥17827.90 |
| 5000 | ￥6.482871 | ￥32414.35 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 2.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
上升时间 8 ns
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SIHD2N80AE-GE3 同类别型号
注
SIHD2N80AE-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHD2N80AE-GE3、查询SIHD2N80AE-GE3代理商；
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替代型号
、SIHD2N80AE-GE3
数据手册PDF。
SIHD2N80AE-GE3
型号：SIHD2N80AE-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：3050 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.433852 |
| 10+： | ￥14.705464 |
| 25+： | ￥13.963107 |
| 100+： | ￥10.47233 |
| 250+： | ￥10.372595 |
| 500+： | ￥8.876547 |
| 1000+： | ￥7.230894 |
| 2500+： | ￥7.131159 |
| 5000+： | ￥6.482871 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.43