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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 400 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 6.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 501 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 1.42 S
上升时间 75 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 30 ns
开发套件 -
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQP2P40_F080
单位重量 2 g
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0FQP2P40-F080
型号:FQP2P40-F080
品牌:ON
供货:锐单
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