货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.967762 | ¥15.97 |
10 | ¥14.350151 | ¥143.50 |
100 | ¥11.531625 | ¥1153.16 |
500 | ¥9.4743 | ¥4737.15 |
1000 | ¥7.850155 | ¥7850.15 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10.6 A
漏源电阻 340 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD65R380E6 SP001117736
单位重量 330 mg
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0IPD65R380E6ATMA1
型号:IPD65R380E6ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.967762 |
10+: | ¥14.350151 |
100+: | ¥11.531625 |
500+: | ¥9.4743 |
1000+: | ¥7.850155 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.97