
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥37.684522 | ¥37.68 |
| 10 | ¥33.788566 | ¥337.89 |
| 25 | ¥31.876006 | ¥796.90 |
| 100 | ¥24.863284 | ¥2486.33 |
| 250 | ¥24.225764 | ¥6056.44 |
| 500 | ¥21.038164 | ¥10519.08 |
| 1000 | ¥17.850563 | ¥17850.56 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 160 A
漏源电阻 900 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 220 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 122 S
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 24 ns
高度 1.9 mm
长度 7.9 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
购物车
0SQJQ100EL-T1_GE3
型号:SQJQ100EL-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥37.684522 |
| 10+: | ¥33.788566 |
| 25+: | ¥31.876006 |
| 100+: | ¥24.863284 |
| 250+: | ¥24.225764 |
| 500+: | ¥21.038164 |
| 1000+: | ¥17.850563 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥37.68