STL115N10F7AG
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- 制造商编号：
- STL115N10F7AG
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
- 渠道：
- digikey
库存 ：14389
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥33.519334 | ￥33.52 |
| 10 | ￥28.173685 | ￥281.74 |
| 100 | ￥22.78941 | ￥2278.94 |
| 500 | ￥20.257391 | ￥10128.70 |
| 1000 | ￥17.345321 | ￥17345.32 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL115N10F7AG
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
107A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6mOhm @ 53A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
72.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5600pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
封装/外壳
8-PowerVDFN
STL115N10F7AG 同类别型号
注
STL115N10F7AG品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STL115N10F7AG
数据手册PDF。
STL115N10F7AG
型号：STL115N10F7AG
品牌：ST
供货：锐单
库存：14389 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥33.519334 |
| 10+： | ￥28.173685 |
| 100+： | ￥22.78941 |
| 500+： | ￥20.257391 |
| 1000+： | ￥17.345321 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥33.52