TSM2N60ECH C5G
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- 制造商编号：
- TSM2N60ECH C5G
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.758705 | ￥11.76 |
| 10 | ￥10.313659 | ￥103.14 |
| 25 | ￥9.684639 | ￥242.12 |
| 100 | ￥7.029722 | ￥702.97 |
| 250 | ￥6.779248 | ￥1694.81 |
| 500 | ￥5.873401 | ￥2936.70 |
| 1000 | ￥4.998582 | ￥4998.58 |
| 2500 | ￥4.686197 | ￥11715.49 |
| 5000 | ￥4.21755 | ￥21087.75 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM2N60ECH C5G
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4Ohm @ 1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
362pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
52.1W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-251 (IPAK)
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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注
TSM2N60ECH C5G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM2N60ECH C5G
数据手册PDF。
TSM2N60ECH C5G
型号：TSM2N60ECH C5G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.758705 |
| 10+： | ￥10.313659 |
| 25+： | ￥9.684639 |
| 100+： | ￥7.029722 |
| 250+： | ￥6.779248 |
| 500+： | ￥5.873401 |
| 1000+： | ￥4.998582 |
| 2500+： | ￥4.686197 |
| 5000+： | ￥4.21755 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.76