
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.425217 | ¥6.43 |
| 10 | ¥4.512951 | ¥45.13 |
| 100 | ¥2.276363 | ¥227.64 |
| 500 | ¥2.017214 | ¥1008.61 |
| 1000 | ¥1.569896 | ¥1569.90 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 113 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2.3 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.5 ns
正向跨导(Min) 2.7 S
上升时间 6.5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14.3 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS315P H6327 SP000928946
单位重量 8 mg
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0BSS315PH6327XTSA1
型号:BSS315PH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.425217 |
| 10+: | ¥4.512951 |
| 100+: | ¥2.276363 |
| 500+: | ¥2.017214 |
| 1000+: | ¥1.569896 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.43