
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.449766 | ¥7.45 |
| 10 | ¥6.671182 | ¥66.71 |
| 100 | ¥5.200273 | ¥520.03 |
| 500 | ¥4.295882 | ¥2147.94 |
| 1000 | ¥3.440616 | ¥3440.62 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 21 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 6 ns
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPAN60R600P7S SP001866160
单位重量 2 g
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0IPAN60R600P7SXKSA1
型号:IPAN60R600P7SXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.449766 |
| 10+: | ¥6.671182 |
| 100+: | ¥5.200273 |
| 500+: | ¥4.295882 |
| 1000+: | ¥3.440616 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.45