BUZ215
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- 制造商编号：
- BUZ215
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- SIEMENS BI-DIR FIFO 512X36 20NS
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.776974 | ￥23.78 |
| 10 | ￥15.851315 | ￥158.51 |
| 100 | ￥11.888487 | ￥1188.85 |
| 500 | ￥9.51079 | ￥4755.40 |
| 1000 | ￥7.925658 | ￥7925.66 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BUZ215
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
SIEMENS BI-DIR FIFO 512X36 20NS
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2000pF @ 2A
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
75W
工作温度
-55°C ~ 150°C
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
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注
BUZ215品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
BUZ215
型号：BUZ215
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.776974 |
| 10+： | ￥15.851315 |
| 100+： | ￥11.888487 |
| 500+： | ￥9.51079 |
| 1000+： | ￥7.925658 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.78