SIRA32DP-T1-RE3
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- 制造商编号：
- SIRA32DP-T1-RE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：1127
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 1 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIRA32DP-T1-RE3 同类别型号
注
SIRA32DP-T1-RE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIRA32DP-T1-RE3
数据手册PDF。
SIRA32DP-T1-RE3
型号：SIRA32DP-T1-RE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1127 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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