货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥39.662826 | ¥39.66 |
10 | ¥35.659476 | ¥356.59 |
100 | ¥28.661026 | ¥2866.10 |
500 | ¥23.547608 | ¥11773.80 |
1000 | ¥20.183558 | ¥20183.56 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 160 A
漏源电阻 900 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 220 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 122 S
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 24 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
购物车
0SQJQ100E-T1_GE3
型号:SQJQ100E-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥39.662826 |
10+: | ¥35.659476 |
100+: | ¥28.661026 |
500+: | ¥23.547608 |
1000+: | ¥20.183558 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.66