货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.439567 | ¥4318.70 |
6000 | ¥1.36639 | ¥8198.34 |
9000 | ¥1.26875 | ¥11418.75 |
30000 | ¥1.239451 | ¥37183.53 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 3.4 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF5803TRPBF SP001564566
单位重量 20 mg
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0IRF5803TRPBF
型号:IRF5803TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.439567 |
6000+: | ¥1.36639 |
9000+: | ¥1.26875 |
30000+: | ¥1.239451 |
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