IPB042N10N3GE8187ATMA1
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- 制造商编号：
- IPB042N10N3GE8187ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：31000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 31000 | ￥33.990762 | ￥1053713.62 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB042N10N3GE8187ATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.2mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
117nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
8410pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
214W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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注
IPB042N10N3GE8187ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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IPB042N10N3GE8187ATMA1
型号：IPB042N10N3GE8187ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 31000+： | ￥33.990762 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00