MMBT8099LT1G
库存 ：323
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.021896 | ￥5.02 |
| 10 | ￥4.08538 | ￥40.85 |
| 100 | ￥2.164843 | ￥216.48 |
| 500 | ￥1.424318 | ￥712.16 |
| 1000 | ￥0.968548 | ￥968.55 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 80 V
集电极—基极电压 80 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 400 mV
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 150 MHz
集电极连续电流 0.5 A
直流电流增益（Max） 300
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 30 mg
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注
MMBT8099LT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、MMBT8099LT1G
数据手册PDF。
MMBT8099LT1G
型号：MMBT8099LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：323 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.021896 |
| 10+： | ￥4.08538 |
| 100+： | ￥2.164843 |
| 500+： | ￥1.424318 |
| 1000+： | ￥0.968548 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.02