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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 29 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.9 us
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 0.9 us
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 3 us
典型接通延迟时间 0.34 us
高度 0.75 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIB457EDK-GE3
单位重量 96 mg
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0SIB457EDK-T1-GE3
型号:SIB457EDK-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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