
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.431539 | ¥8.43 |
| 50 | ¥6.769996 | ¥338.50 |
| 100 | ¥5.364935 | ¥536.49 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 70 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 79 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.4 ns
正向跨导(Min) 44 S
上升时间 5.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP042N03L G SP000680792
单位重量 2 g
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0IPP042N03LGXKSA1
型号:IPP042N03LGXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.431539 |
| 50+: | ¥6.769996 |
| 100+: | ¥5.364935 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.43