FQU2N60CTU
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- 制造商编号：
- FQU2N60CTU
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 4.7 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导（Min） 5 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 6.3 mm
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 340 mg
FQU2N60CTU 同类别型号
注
FQU2N60CTU品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FQU2N60CTU
数据手册PDF。
FQU2N60CTU
型号：FQU2N60CTU
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00