货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.969411 | ¥4.97 |
10 | ¥3.779064 | ¥37.79 |
100 | ¥2.351803 | ¥235.18 |
500 | ¥1.609165 | ¥804.58 |
1000 | ¥1.23773 | ¥1237.73 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.1 A
漏源电阻 109 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 1.04 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
正向跨导(Min) 4.8 S
上升时间 1.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.8 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
开发套件 CSD1FNCHEVM-889
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
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0CSD17381F4
型号:CSD17381F4
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.969411 |
10+: | ¥3.779064 |
100+: | ¥2.351803 |
500+: | ¥1.609165 |
1000+: | ¥1.23773 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.97