SIE864DF-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIE864DF-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.128801 | ￥21.13 |
| 10 | ￥19.028276 | ￥190.28 |
| 25 | ￥17.945888 | ￥448.65 |
| 100 | ￥13.999375 | ￥1399.94 |
| 250 | ￥13.640063 | ￥3410.02 |
| 500 | ￥11.845226 | ￥5922.61 |
| 1000 | ￥10.05039 | ￥10050.39 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIE864DF-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5.6mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
38nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1510pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.2W (Ta), 25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
10-PolarPAK® (U)
封装/外壳
10-PolarPAK® (U)
SIE864DF-T1-GE3 同类别型号
注
SIE864DF-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、SIE864DF-T1-GE3
数据手册PDF。
SIE864DF-T1-GE3
型号：SIE864DF-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.128801 |
| 10+： | ￥19.028276 |
| 25+： | ￥17.945888 |
| 100+： | ￥13.999375 |
| 250+： | ￥13.640063 |
| 500+： | ￥11.845226 |
| 1000+： | ￥10.05039 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.13