IPP06CN10N G
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- 制造商编号：
- IPP06CN10N G
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPP06CN10N G
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
包装
Tube
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6.5mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 180µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
139nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9200pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
214W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
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注
IPP06CN10N G品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
IPP06CN10N G
型号：IPP06CN10N G
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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