货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.901373 | ¥10.90 |
10 | ¥9.744356 | ¥97.44 |
100 | ¥7.595515 | ¥759.55 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 4.8 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 16.5 nC
耗散功率 107 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
正向跨导(Min) 3 S
上升时间 43.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.5 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQP3N80C_NL
单位重量 2 g
购物车
0FQP3N80C
型号:FQP3N80C
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.901373 |
10+: | ¥9.744356 |
100+: | ¥7.595515 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.90