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起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥7.776033 | ¥7776.03 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 13.7 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 40 ns
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 90 ns
高度 10.4 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2.387 g
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0TK14G65W5,RQ
型号:TK14G65W5,RQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥7.776033 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00