
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.589451 | ¥4.59 |
| 10 | ¥3.090231 | ¥30.90 |
| 100 | ¥2.077492 | ¥207.75 |
| 500 | ¥1.602942 | ¥801.47 |
| 1000 | ¥1.444454 | ¥1444.45 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 72 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0SSM3K09FU,LF
型号:SSM3K09FU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.589451 |
| 10+: | ¥3.090231 |
| 100+: | ¥2.077492 |
| 500+: | ¥1.602942 |
| 1000+: | ¥1.444454 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.59