
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.882496 | ¥7.88 |
| 10 | ¥6.719505 | ¥67.20 |
| 100 | ¥5.015077 | ¥501.51 |
| 500 | ¥3.940215 | ¥1970.11 |
| 1000 | ¥3.044712 | ¥3044.71 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.3 A
漏源电阻 73 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.6 nC
耗散功率 740 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.5 ns
正向跨导(Min) 4.8 mS
上升时间 4.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.1 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3110S-7
型号:DMN3110S-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.882496 |
| 10+: | ¥6.719505 |
| 100+: | ¥5.015077 |
| 500+: | ¥3.940215 |
| 1000+: | ¥3.044712 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.88