IXFN60N60
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- 制造商编号：
- IXFN60N60
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
- 渠道：
- 国内现货mouserdigikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
商标名 HyperFET
技术类参数
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 26 ns
漏极电流 60 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 700 W
漏源电阻 75 mOhms
上升时间 52 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 43 ns
漏源击穿电压 600 V
栅源极阈值电压 4.5 V
外形参数
高度 12.22 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 HiPerFET Power MOSFET
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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注
IXFN60N60品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXFN60N60
数据手册PDF。
IXFN60N60
型号：IXFN60N60
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00