货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.152628 | ¥9.15 |
10 | ¥8.187312 | ¥81.87 |
25 | ¥7.768293 | ¥194.21 |
100 | ¥5.826219 | ¥582.62 |
250 | ¥5.770732 | ¥1442.68 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSIX
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 650 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 55 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK650A60F,S4X
型号:TK650A60F,S4X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.152628 |
10+: | ¥8.187312 |
25+: | ¥7.768293 |
100+: | ¥5.826219 |
250+: | ¥5.770732 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.15