
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.598036 | ¥1794.11 |
| 6000 | ¥0.56185 | ¥3371.10 |
| 15000 | ¥0.525551 | ¥7883.26 |
| 30000 | ¥0.482081 | ¥14462.43 |
| 75000 | ¥0.463932 | ¥34794.90 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0NTR1P02T1G
型号:NTR1P02T1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.598036 |
| 6000+: | ¥0.56185 |
| 15000+: | ¥0.525551 |
| 30000+: | ¥0.482081 |
| 75000+: | ¥0.463932 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00