CSD16411Q3
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- 制造商编号：
- CSD16411Q3
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.89207 | ￥12.89 |
| 10 | ￥11.532027 | ￥115.32 |
| 100 | ￥8.996115 | ￥899.61 |
| 500 | ￥7.432066 | ￥3716.03 |
| 1000 | ￥6.222903 | ￥6222.90 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 7.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6 ns
典型接通延迟时间 5.3 ns
规格参数
开发套件 TPS2592AAEVM-531, TPS2592BLEVM-531
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 41.600 mg
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注
CSD16411Q3品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD16411Q3
数据手册PDF
。
CSD16411Q3
型号：CSD16411Q3
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.89207 |
| 10+： | ￥11.532027 |
| 100+： | ￥8.996115 |
| 500+： | ￥7.432066 |
| 1000+： | ￥6.222903 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.89