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制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 10.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.6 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 32 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC0402NS SP005399476
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0BSC0402NSATMA1
型号:BSC0402NSATMA1
品牌:INFINEON
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