
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥37.174555 | ¥37.17 |
| 10 | ¥23.911041 | ¥239.11 |
| 100 | ¥16.352216 | ¥1635.22 |
| 500 | ¥13.118488 | ¥6559.24 |
| 1000 | ¥12.07913 | ¥12079.13 |
| 2000 | ¥11.205146 | ¥22410.29 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 130 A
漏源电阻 1.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 9.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 29 ns
高度 0.95 mm
长度 5 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
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0TPH2R306NH,L1Q
型号:TPH2R306NH,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥37.174555 |
| 10+: | ¥23.911041 |
| 100+: | ¥16.352216 |
| 500+: | ¥13.118488 |
| 1000+: | ¥12.07913 |
| 2000+: | ¥11.205146 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥37.17