IRF6609TR1
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- 制造商编号：
- IRF6609TR1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：16
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 16 | ￥6.26793 | ￥100.29 |
| 20 | ￥6.02683 | ￥120.54 |
| 50 | ￥5.78573 | ￥289.29 |
| 100 | ￥5.544714 | ￥554.47 |
| 300 | ￥5.303614 | ￥1591.08 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRF6609TR1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
31A (Ta), 150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2mOhm @ 31A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
69nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6290pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta), 89W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DIRECTFET™ MT
封装/外壳
DirectFET™ Isometric MT
IRF6609TR1 同类别型号
注
IRF6609TR1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRF6609TR1
数据手册PDF
。
IRF6609TR1
型号：IRF6609TR1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 16+： | ￥6.26793 |
| 20+： | ￥6.02683 |
| 50+： | ￥5.78573 |
| 100+： | ￥5.544714 |
| 300+： | ￥5.303614 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00