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起订量:217
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 217 | ¥0.361361 | ¥78.42 |
| 300 | ¥0.361361 | ¥108.41 |
| 500 | ¥0.361361 | ¥180.68 |
| 1000 | ¥0.328516 | ¥328.52 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 260 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 360 pC
耗散功率 320 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.3 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 1.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.6 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG301NU-13
型号:DMG301NU-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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| 217+: | ¥0.361361 |
| 300+: | ¥0.361361 |
| 500+: | ¥0.361361 |
| 1000+: | ¥0.328516 |
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