
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.939886 | ¥6.94 |
| 10 | ¥6.183324 | ¥61.83 |
| 100 | ¥4.822083 | ¥482.21 |
| 500 | ¥3.983267 | ¥1991.63 |
| 1000 | ¥3.144679 | ¥3144.68 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 490 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 21 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPAW60R600P7S SP001618082
单位重量 2 g
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0IPAW60R600P7SXKSA1
型号:IPAW60R600P7SXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.939886 |
| 10+: | ¥6.183324 |
| 100+: | ¥4.822083 |
| 500+: | ¥3.983267 |
| 1000+: | ¥3.144679 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.94