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FQI4N80TU

ON(安森美)
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制造商编号:
FQI4N80TU
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
渠道:
digikey

库存 :1000

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 19.549957 19.55
200 7.562398 1512.48
500 7.29821 3649.11
1000 7.166116 7166.12

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi / Fairchild

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 800 V

漏极电流 3.9 A

漏源电阻 2.8 Ohms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 25 nC

耗散功率 3.13 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 35 ns

正向跨导(Min) 3.8 S

上升时间 45 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 35 ns

典型接通延迟时间 16 ns

外形参数

高度 7.88 mm

长度 10.29 mm

宽度 4.83 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 2.387 g

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FQI4N80TU

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型号:FQI4N80TU

品牌:ON

供货:锐单

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1+: ¥19.549957
200+: ¥7.562398
500+: ¥7.29821
1000+: ¥7.166116

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