
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.549957 | ¥19.55 |
| 200 | ¥7.562398 | ¥1512.48 |
| 500 | ¥7.29821 | ¥3649.11 |
| 1000 | ¥7.166116 | ¥7166.12 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 3.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 3.8 S
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 7.88 mm
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 2.387 g
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0FQI4N80TU
型号:FQI4N80TU
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.549957 |
| 200+: | ¥7.562398 |
| 500+: | ¥7.29821 |
| 1000+: | ¥7.166116 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.55