TK10J80E,S1E
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TK10J80E,S1E
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V TO-3PN
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：25
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 25 | ￥17.77898 | ￥444.47 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSVIII
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 700 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 80 ns
外形参数
高度 20 mm
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
TK10J80E,S1E 同类别型号
注
TK10J80E,S1E品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TK10J80E,S1E
数据手册PDF。
TK10J80E,S1E
型号：TK10J80E,S1E
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 25+： | ￥17.77898 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00