IPP12CN10N G
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- 制造商编号：
- IPP12CN10N G
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.613259 | ￥4.61 |
| 10 | ￥3.366248 | ￥33.66 |
| 30 | ￥3.134563 | ￥94.04 |
| 100 | ￥2.909693 | ￥290.97 |
| 500 | ￥2.807478 | ￥1403.74 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPP12CN10N G
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
包装
Tube
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
12.9mOhm @ 67A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
65nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4320pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
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注
IPP12CN10N G品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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IPP12CN10N G
型号：IPP12CN10N G
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.613259 |
| 10+： | ￥3.366248 |
| 30+： | ￥3.134563 |
| 100+： | ￥2.909693 |
| 500+： | ￥2.807478 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥4.61