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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 29 mOhms
耗散功率 38 W
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0TK20S06K3L(T6L1,NQ
型号:TK20S06K3L(T6L1,NQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
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