IPP12CNE8N G
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- 制造商编号：
- IPP12CNE8N G
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.56975 | ￥4.57 |
| 10 | ￥3.3345 | ￥33.34 |
| 30 | ￥3.105 | ￥93.15 |
| 100 | ￥2.88225 | ￥288.23 |
| 500 | ￥2.781 | ￥1390.50 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPP12CNE8N G
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
包装
Tube
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
85V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
12.9mOhm @ 67A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
64nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4340pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
IPP12CNE8N G 同类别型号
注
IPP12CNE8N G品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、IPP12CNE8N G
数据手册PDF。
IPP12CNE8N G
型号：IPP12CNE8N G
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.56975 |
| 10+： | ￥3.3345 |
| 30+： | ￥3.105 |
| 100+： | ￥2.88225 |
| 500+： | ￥2.781 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.57