
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.509778 | ¥4529.33 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 11.6 A
漏源电阻 11.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 14.2 nC
耗散功率 2.35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.8 ns
上升时间 3.1 ns
典型关闭延迟时间 14.2 ns
典型接通延迟时间 3.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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0DMTH4008LFDFWQ-7
型号:DMTH4008LFDFWQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.509778 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00