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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥1.773848 | ¥17738.48 |
30000 | ¥1.756294 | ¥52688.82 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 59 nC
耗散功率 2.02 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 96 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
高度 0.6 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 8.500 mg
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0DMP2021UFDF-13
型号:DMP2021UFDF-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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10000+: | ¥1.773848 |
30000+: | ¥1.756294 |
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