SQ3460EV-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ3460EV-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.892073 | ￥12.89 |
| 10 | ￥11.362025 | ￥113.62 |
| 25 | ￥10.67067 | ￥266.77 |
| 100 | ￥7.746578 | ￥774.66 |
| 250 | ￥7.470603 | ￥1867.65 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 14 nC
耗散功率 3.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 28 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
SQ3460EV-T1_GE3 同类别型号
注
SQ3460EV-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQ3460EV-T1_GE3
数据手册PDF。
SQ3460EV-T1_GE3
型号：SQ3460EV-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.892073 |
| 10+： | ￥11.362025 |
| 25+： | ￥10.67067 |
| 100+： | ￥7.746578 |
| 250+： | ￥7.470603 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.89